El concepto de memoria de cambio de fase se desarrolló a mediados del siglo pasado, y se basa en el cambio de estado de un material entre una fase cristalina y una fase amorfa mediante la aplicación de calor. La idea era muy prometedora en su día, pero hasta hace relativamente poco no se ha logrado fabricar una tecnología eficaz, con materiales de la suficiente calidad y sistemas de grabación lo suficientemente precisos.

El resultado son memorias con un gran potencial para mejorar las capacidades de la memoria DRAM, y también para sustituir a la memoria flash en ciertas aplicaciones, gracias a su no volatilidad. Pero los investigadores todavía necesitan incrementar el rendimiento para llegar al máximo nivel que permite esta tecnología a nivel teórico, equiparándolo al de la computación. Para ello es preciso mejorar el método de conmutación entre ambos estados, y un equipo de ingenieros de India afirma haberlo logrado.

En un artículo publicado en la revista Nature Scientific Reports, este grupo de ingenieros del Consorcio UGC-DAE para la Investigación Científica y del Instituto Indio de Tecnología de Madrás, en Chennai (India), proponen un nuevo esquema de conmutación para la memoria de cambio de fase que permitiría reducir el retardo a menos de 50 picosegundos para una sobretensión igual al doble de la tensión de umbral que determina el cambio de estado hacia la fase amorfa.

En su artículo afirman que su descubrimiento abre las puertas a la fabricación de nuevos dispositivos de cambio de fase con una velocidad similar a la memoria SRAM. Esto podría servir como base para una nueva generación de módulos que podrían sustituir a la DRAM en las plataformas de computación de alto rendimiento.

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